出版社:机械工业出版社
年代:2015
定价:69.0
设计方法和工艺技术的革新使得集成电路的复杂度持续增加。现代集成电路(IC)的高复杂度和纳米尺度特征极易使其在制造过程中产生缺陷,同时也会引发性能和质量问题。本书包含了测试领域的许多常见问题,比如制程偏移、供电噪声、串扰、电阻性开路/电桥以及面向制造的设计(DfM)相关的规则违例等。本书也旨在讲述小延迟缺陷(SDD)的测试方法,由于SDD能够引起电路中的关键路径和非关键路径的瞬间时序失效,对其的研究和筛选测试方案的提出具有重大的意义。本书分为4个部分:第1部分主要介绍了时序敏感自动测试向量生成(ATPG);第2部分关于全速测试,并且提出了一种超速测试的测试方法用于检测SDD;第3部分介绍了一种SDD测试的替代方案,可以在ATPG和基于电路拓扑的解决方案之间进行折衷;第4部分介绍了SDD的测试标准,以量化的指标来评估SDD覆盖率。本书内容由简入深,对SDD测试全面展开,有助于提高读者的理解和掌握。
书籍详细信息 | |||
书名 | 纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测站内查询相似图书 | ||
丛书名 | 国际信息工程先进技术译丛 | ||
9787111521846 如需购买下载《纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 北京 | 出版单位 | 机械工业出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 69.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 平装 |
页数 | 163 | 印数 | 2600 |
纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测是机械工业出版社于2015.12出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 纳米材料-MOS集成电路-缺陷检测 的书籍。
(荷) 维恩德里克 (Veendrick,H.) , 著
(美) 王班 (Wong,B.P.) , 等著
杜怀昌, 肖怀宝, 黄玲玲, 编著
(美) 康松默 (Kang,S.M.) , (美) 列波列比西 (Leblebici,Y.) , 著
姜艳波等, 编著
潘桂忠, 编著
张汝京, 编著
张汝京, 等编著
(美) 李 (Lee,T.H.) , 著