碳化硅技术基本原理

书籍简介:

本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、衬底和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关设备的设计理念，单／双极器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了碳化硅器件的基本概念和最新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、现在的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。 本书作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历，是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔，全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。目前，随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段，本书的翻译出版对于大量已经进入和正在进入该行业，急需了解掌握该行业的专业人士是一本难得的专业书籍。本书可以作为从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员的参考书，也可以作为高等学校微电子学与固体物理学专业高年级本科生、研究生的教学用书或参考书。同时，本书对于在诸如电力供应、换流器-逆变器设计、电动汽车、高温电子学、传感器和智能电网技术等方面的设计工程师、应用工程师和产品经理也是有益的。

书籍规格:

书籍信息归属:

碳化硅技术基本原理是机械工业出版社于2018.1出版的中图分类号为 TQ174.75 的主题关于 碳化硅陶瓷 的书籍。