书籍简介:

ZnO是一种宽禁带II—VI族直接带隙极性半导体材料。氧化锌同是一种具有六方结构的宽禁带半导体材料。其室温下的禁带宽度为3.37 eV，特别是它的激子结合能高达60 meV，氧化锌在目前常用的半导体材料中首屈一指。本书主要讲述的是ZnO掺杂半导体材料的性能研究及其应用，有利于促进ZnO从研究走向应用，从材料走向器件，服务于现代社会。

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书籍详细信息
书名	ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用站内查询相似图书
	9787568147262 如需购买下载《ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	长春	出版单位	东北师范大学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	35.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	平装
页数	148	印数	200

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书籍信息归属:

ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用是东北师范大学出版社于2018.6出版的中图分类号为 TN304.2 的主题关于氧化锌－氧化物半导体－半导体材料－性能－研究的书籍。