ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用
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ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用

曹萍, 著

出版社:东北师范大学出版社

年代:2018

定价:35.0

书籍简介:

ZnO是一种宽禁带II—VI族直接带隙极性半导体材料。氧化锌同是一种具有六方结构的宽禁带半导体材料。其室温下的禁带宽度为3.37 eV,特别是它的激子结合能高达60 meV,氧化锌在目前常用的半导体材料中首屈一指。本书主要讲述的是ZnO掺杂半导体材料的性能研究及其应用,有利于促进ZnO从研究走向应用,从材料走向器件,服务于现代社会。

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书籍详细信息
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9787568147262
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出版地长春出版单位东北师范大学出版社
版次1版印次1
定价(元)35.0语种简体中文
尺寸24 × 17装帧平装
页数 148 印数 200

书籍信息归属:

ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用是东北师范大学出版社于2018.6出版的中图分类号为 TN304.2 的主题关于 氧化锌-氧化物半导体-半导体材料-性能-研究 的书籍。