书籍简介:

本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。书中包括智能PIC的一个典型的工艺流程以及很难在其他同类书中找到的技术开发组织图，通过对本书的阅读，可以使学生和年轻的工程师在功率半导体器件领域领先一步。

书籍规格:

书籍详细信息
书名	集成功率器件设计及TCAD仿真站内查询相似图书
丛书名	微电子与集成电路先进技术丛书
	9787111592730 如需购买下载《集成功率器件设计及TCAD仿真》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	北京	出版单位	机械工业出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	125.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	平装
页数	331	印数	3000

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书籍信息归属:

集成功率器件设计及TCAD仿真是机械工业出版社于2018.5出版的中图分类号为 TN303-39 的主题关于集成电路－功率半导体器件－计算机辅助设计的书籍。