用于集成电路仿真和设计的FinFET建模

书籍简介:

随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点，传统的平面MOSFET结构已不再适用，新型的三维晶体管（FinFET）结构逐渐成为了摩尔定律得以延续的重要保证。本书从三维结构的原理、物理效应入手，详细讨论了FinFET紧凑模型（BSIM-CMG）产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导，而进行了更为直接的机理分析，力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。

书籍规格:

书籍信息归属:

用于集成电路仿真和设计的FinFET建模是机械工业出版社于2020.8出版的中图分类号为 TN402 的主题关于 集成电路－电路设计－系统建模 的书籍。