金属有机化合物气相外延
金属有机化合物气相外延封面图

金属有机化合物气相外延

陆大成, 段树坤, 著

出版社:科学出版社

年代:2008

定价:60.0

书籍简介:

本书是国内第一本全面系统地介绍金属有机化合物气相外延(MOVPE)的专著。本书共10章:第1章概述;第2章生长系统;第3章原材料;第4章MOVPE生长热力学和反应动力学;第5章MOVPE反应室内的输运现象与模型化;第6章MOVPE中的表面过程;第7章III-V族化合物半导体的MOVPE生长;第8章II-VI族半导体的MOVPE生长;第9章低维结构的MOVPE生长;第10章MOVPE技术在器件方面的应用。其特点是从理论和实践两个方面加以论述。反映国内外最新进展,包括本书作者在内的我国科学工作者的研究成果。

书籍目录:

前言

第1章绪论

1.1外延生长

1.2MOVPE概述

参考文献

第2章MOVPE生长系统

2.1MOVPE气体输运分系统

2.2MOVPE生长反应室分系统

2.3MOVPE尾气处理分系统

2.4MOVPE生长控制装置分系统

2.5MOVPE外延层生长的原位监测

参考文献

第3章原材料

3.1金属有机化合物源

3.2氢化物源

参考文献

第4章MOVPE的热力学分析

4.1外延生长速度的限制机构

4.2MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系

4.3MOVPE生长相图与单凝聚相生长区

4.4掺杂

参考文献

第5章MOVPE化学反应动力学和质量输运

5.1MOVPE化学反应动力学

5.2MOVPE反应室内的输运现象与模型化

5.3MOVPE化学反应一输运模型的应用

参考文献

第6章MOVPE的表面过程

6.1表面成核

6.2外延生长模式

6.3MOVPE环境下的表面再构

6.4表面活性剂

参考文献

第7章Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的MOVPE生长

7.1GaAs及其固溶体的MOVPE生长

7.2InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长

7.3锑化物的MOVPE生长

7.4氮化物的MOVPE生长

7.5选择外延生长和非平面衬底上的外延生长

7.6Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半导体的MOVPE生长

参考文献

第8章Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的MOVPE生长

8.1ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长

8.2ZnO及其固溶体的MOVPE生长

8.3HgCdTe的MOVPE生长

参考文献

第9章低维半导体材料的MOVPE生长

9.1量子阱结构的MOVPE生长

9.2量子点和量子线结构的生长

参考文献

第10章MOVPE技术在半导体器件方面的应用

10.1发光二极管

10.2激光器

10.3太阳能电池

10.4半导体光探测器

10.5高电子迁移率场效应晶体管

10.6异质结双极晶体管

10.7光电集成电路

参考文献

后记

内容摘要:

  本书是国内第一本全面系统地介绍金属有机化合物气相外延(MOVPE)的专著。全书共10章:第1章概述;第2章生长系统;第3章原材料;第4章MOVPE生长热力学和反应动力学;第5章MOVPE反应室内的输运现象与模型化;第6章MOVPE中的表面过程;第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的MOVPE生长;第8章Ⅱ-Ⅵ族半导体的MOVPE生长;第9章低维结构的MOVPE生长;第10章MOVPE技术在器件方面的应用。本书反映了国内外该研究领域的最新进展,并附有大量的参考文献。在写作风格上,以大学高年级学生水平为出发点,突出物理内容,避免冗长公式,深入浅出。  金属有机化合物气相处延(MOVPE)技术是制备化合物半导体异质结、低维结构材料,以及生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。本书是国内第一本全面系统地介绍MOVPE的专著,从理论和实践两个方面分别论述了该技术的生长系统和原材料特性等实验基础、MOVPE生长热力学、化学反应动力学和输运现象等理论基础。在此基础上系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料生长及其量子阱、量子点等低维结构的MOVPE生长,以及在光电器件和电子器件方面的应用。书中附有大量参考文献,以便读者进一步参考。  本书可供从事半导体科研和生产的科研人员、大专院校教师和研究生使用。

书籍规格:

书籍详细信息
书名金属有机化合物气相外延站内查询相似图书
丛书名半导体科学与技术丛书
9787030238450
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出版地北京出版单位科学出版社
版次1版印次1
定价(元)60.0语种简体中文
尺寸24装帧平装
页数印数

书籍信息归属:

金属有机化合物气相外延是科学出版社于2009.出版的中图分类号为 O627 的主题关于 有机金属化合物-气相外延生长-研究 的书籍。