SOI

SOI纳米技术时代的高端硅基材料进展

纳米技术时代的高端硅基材料SOI、sSOI和GOI

SOI技术的发展动态

硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势

FabricationofSiGe-on-insulatorandapplicationsforstrainedSi

OverviewofSOImaterialstechnologyinChina

SOI新材料的制备科学

以注氧隔离(SIMOX)技术制备高阻SOI材料

硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制

以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料

多孔硅外延层转移技术制备SOI材料

ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构

SOI新结构SOI研究的新动向

Fabricationofsilicon．on．AlNnovelstructureanditsresidualstraincharacterization.

BuriedtungstensilicidelayerinsilicononinsulatorsubstratebySmart-cut

Voidfreelow-temperaturesilicondirectbondingtechniqueusingplasmaactivation

MicrostructureandcrystallinityofporoussiliconandepitaxialsiliconlayersfabricatedonP+poroussilicon

Formationofsilicon-on-diamondbydirectbondingofplasma-synthesizeddiamond-likecarbontosilicon

Thermalstabilityofdiamondlikecarbonburiedlayerfabricatedbyplasmaimmersionionimplantationanddepositioninsilicononinsulator

StudyofSOIsubstratesincorporatedwithburiedMoSizlayer

SOI材料与器件特有的物理效应

S0IMOSFET浮体效应研究

SOIMOSFET的自加热效应研究

S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展

EvolutionofhydrogenandheliumCO-implantedsingle-crystalsiliconduringannealing

ComparisonbetweenthedifferentimplantationordersinH+andHe+co-implantation

ComparisonofCugetteringtoH~andHe+implantation-inducedcavitiesinseparation-by-implantation-of-oxygenwafers

GetteringofCubymicrocavitiesinbonded/ion-cutsilicon-on-insulatorandseparationbyimplantationofoxygen

SGOI新结构和应变硅的制备科学

SIMOX技术制备SGOI新结构的研究

改良型Ge浓缩技术制备SGOI及应变Si研究

Relaxedsilicon-germanium-on-insulatorsubstratesbyoxygenimplantationintopseudomorphicsilicongermanium/siliconheterostructure

GermaniummovementmechanisminSiGe-on-insulatorfabricatedbymodifiedGecondensation

InvestigationofrelaxedSiGeoninsulatorandstrainedSi

SOI技术的若干应用研究

纳米MOSFET/SOI器件新结构

SOI衬底上的无源器件研究

SGOI衬底上高k栅介质的研究

Highfrequencycapacitance-voltagecharacterizationofA1203/ZrO2/A1203infullydepletedsilicon-on,insulatormetal-oxide-semiconductorcapacitors

Numericalstudyofself-heatingeffectsofMOSFETsfabricatedonSOANsubstrate

Sil-xGex/Siresonant-cavity-enhancedphotodetectorswithasilicon-on-oxidereflectoroperatingnear1.3μm

Totaldoserad-hardimprovementforsilicon-on-insulatormaterialsbymodifyingtheburiedoxidewithionimplantation

InvestigationofH+andB+/H+implantationinLiTaO3single-crystals

InvestigationofSO1substratesincorporatedwithburiedMoSi2forhighfrequencySiGeHBTs

　　本书所收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文共40篇，部分是在国外刊物上发表的论文，其出处都已标明版权所有的学术期刊。书中主要包括以下几部分：SOI纳米技术时代的高端硅基材料进展；SOI新材料的制备科学；SOI材料与器件特有的物理效应；SGOI新结构和应变硅的制备科学；SOI技术的若干应用研究。可供各大专院校作为教材使用，也可供从事相关工作的人员作为参考用书使用。　　绝缘体上硅(silicononinsulator，SOI)技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。本书收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅(silicongermaniumoninsulator，SGOI)新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。　　本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。