高介电常数氧化物绝缘栅MOSFET数值研究

书籍简介:

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了半导体材料与电子器件的物理特性，重点介绍了高K氧化物绝缘栅与相关半导体材料。全书共6章，包括金属氧化物半导体场效应管、Si/LaAlO3异质结的稳定性和带阶、Ge基金属氧化物半导体场效应晶体管、GaAs基金属氧化物半导体场效应晶体管、氮化物基金属氧化物半导体场效应晶体管和ZnO基金属氧化物半导体场效应晶体管。本书可供物理学、微电子学和材料科学领域的研究生与科研人员阅读参考。

书籍规格:

书籍信息归属:

高介电常数氧化物绝缘栅MOSFET数值研究是中国矿业大学出版社于2020.4出版的中图分类号为 TN323 的主题关于 绝缘栅场效应晶体管－功率MOSFET－数值－研究 的书籍。