基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究
暂无封面,等待上传

基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究

吴丽君, 著

出版社:兵器工业出版社

年代:2019

定价:58.0

书籍简介:

本书着重介绍了采用基于密度泛函理论的紧束缚方法分别对零维、一维和二维硅锗材料的结构和电子性质的计算模拟研究,分析了具有不同维度、不同尺寸的低维硅锗材料结构和电子性质的差异。本书可作为大学材料物理与科学工程学院材料物理化学、材料加工各专业的大学生与研究生的选修课教材,同时可供从事密度泛函理论的紧束缚方法模拟材料性能研究的科研人员参考使用。

书籍规格:

书籍详细信息
书名基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究站内查询相似图书
9787518105151
如需购买下载《基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地北京出版单位兵器工业出版社
版次1版印次1
定价(元)58.0语种简体中文
尺寸17 × 24装帧平装
页数印数 50

书籍信息归属:

基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究是兵器工业出版社于2019.7出版的中图分类号为 TB383 的主题关于 硅-锗-纳米材料-电子结构-研究 的书籍。