书籍简介:

稀磁半导体由于兼具电子电荷和自旋两种特性而成为自旋电子学这个新领域的研究热点，但是有关第三代宽禁带半导体碳化硅的研究工作在国内外还处于起步阶段，因此选择碳化硅作为稀磁半导体作为研究对象具有重要的理论意义和潜在的应用前景。采用射频磁控溅射法分别制备了不同浓度的Mn/Co、Mn/Al和Co/N共掺杂SiC稀磁半导体薄膜，利用不同的表征测试方法，系统地研究了碳化硅稀磁半导体薄膜的局域结构及自旋相关磁、输运特性。本书针对这些问题进行了阐述。

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书名	碳化硅半导体磁性能研究站内查询相似图书
	9787109245402 如需购买下载《碳化硅半导体磁性能研究》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	北京	出版单位	中国农业出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	50.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	平装
页数		印数

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书籍信息归属:

碳化硅半导体磁性能研究是中国农业出版社于2018.8出版的中图分类号为 TN304.1 的主题关于碳化物－硅－半导体材料－磁性分析的书籍。