出版社:化学工业出版社
年代:2019
定价:46.0
本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的,系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章,前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第三章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响,第四章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响,第五章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响,第六章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响,第七章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。
书籍详细信息 | |||
书名 | 二维化合物的吸附特性站内查询相似图书 | ||
9787122352729 如需购买下载《二维化合物的吸附特性》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 北京 | 出版单位 | 化学工业出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 46.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 平装 |
页数 | 印数 |
向斌, 崔旭东, 著
牛景扬, 王敬平, 编著
苏向英, 著
高小珍, 著
黄克靖, 武旭, 曹晓雨, 著
王明艳, 著
张秀荣, 编著
黄艳菊, 著
庞来学, 著