相变存储器与应用基础
相变存储器与应用基础封面图

相变存储器与应用基础

宋志棠, 著

出版社:科学出版社

年代:2013

定价:79.0

书籍简介:

本书介绍了多种自主的新型相变材料,介绍了双沟道外延二极管等方面的内容,有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题,对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值,有助于我国在信息技术领域取得突出的、有特色的进展,获得重大经济效益。本书对相关领域的科技人员和研究单位提供有益参考。

内容摘要:

《相变存储器与应用基础》介绍了多种自主的新型相变材料,介绍了双沟道外延二极管等方面的内容,有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题,对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值,有助于我国在信息技术领域取得突出的、有特色的进展,获得重大经济效益。《相变存储器与应用基础》对相关领域的科技人员和研究单位提供有益参考。

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书籍详细信息
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9787030386755
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出版地北京出版单位科学出版社
版次1版印次1
定价(元)79.0语种简体中文
尺寸24 × 17装帧精装
页数 200 印数

书籍信息归属:

相变存储器与应用基础是科学出版社于2013.9出版的中图分类号为 TP333 的主题关于 相变-存储器-研究 的书籍。