模拟/射频集成电路晶体管级建模

"Foreword

HiroshiIwai

Introduction

WladekGrabinski,BartNauwelaersandDominiqueSchreurs

1

2/3-Dprocessanddevicesimulation.Aneffectivetoolforbetterunderstandingofinternalbehavior

ofsemiconductorstructures

DanielDonoval,AndrejVrbicky,AlesChvala,andPeterBeno

2

PSP:Anadvancedsurface-potential-basedMOSFETmodel

R.vanLangevelde,andG.Gildenblat

3

EKV3.0:AnadvancedchargebasedMOStransistormodel.

Adesign-orientedMOStransistorcompactmodelfornextgenerationCMOS

MatthiasBucher,AntoniosBazigos,FrancoisKrummenacher,Jean-MicehlSallese,andChristianEnz

4

Modellingusinghigh-frequencymeasurements

DominiqueSchreurs

5

EmpiricalFETmodels

IltchoAngelov

6

ModelingtheSOIMOSFETnonlinearities.

Anempiricalapproach

B.Parvais,A.Siligaris

7

CircuitlevelRFmodelinganddesign

NobuyukiItoh

8

Onincorporatingparasiticquantumeffectsinclassicalcircuitsimulations

FrankFelgenhauer,MaikBegoinandWolfgangMathis

9

CompactmodelingoftheMOSFETinVHDL-AMS

ChristopheLallement,FrancoisPecheux,AlainVachouxandFabienPregaldiny

10

CompactmodelinginVerilog-A

BorisTroyanovsky,PatrickO’HalloranandMarekMierzwinski

Index

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　　本书国外电子信息精品著作(影印版)系列之一，内容丰富，从主流模型的讨论到小尺寸器件模型和量子效应的介绍，从模型参数的提取方法到模型在硬件描述语言中的应用等方面都作了详细的论述。本书对设计工程师和器件工程师都有很好的参考价值。　　器件的模型一直是模拟／射频集成电路工程师关心的问题。是否能建立一个尽可能反映器件行为的模型关系到整个集成电路设计的成败。本书内容丰富，从主流模型的讨论到小尺寸器件模型和量子效应的介绍，从模型参数的提取方法到模型在硬件描述语言中的应用等方面都作了详细的论述。本书对设计工程师和器件工程师都有很好的参考价值。