硅集成电路中的ESD技术

书籍简介:

本书是美国泰克仪器公司的实用参考书，分为十二章。随着工艺特征尺寸逐渐向深亚微米渗入，集成电路中涉及ESD的问题愈显突出。工艺缩减引起的相关浅结、非常薄的栅氧、短沟道长度等都将影响ESD性能。本书详细描述了ESD现象，“充电”和“放电”效应，以及各种合用的测试模型和测试方法。讨论了这些模型的精度问题以及如何使用商业测试仪来模拟它们。讨论了在ESD脉冲期间器件的失效机理和半导体保护器件在大电流下的操作，以及这些机制背后的物理原理。论述了ESD的保护设计概念，用于建构ESD保护电路的基本原理和所需要的策略。提出了全新的保护理念，用以兼容深亚微米工艺高性能晶体管，或者用作发展适应新IC电路设计的创新性概念。在先进的硅IC里观察到了主要失效模式，并研究了在ESD性能方面逻辑设计和版图设计的有效性相关案例。探讨了生产工艺效应相关的主要问题。给出了基于保护电路大电流行为的器件建模技术，重点关注半导体器件里ESD现象的分析和数值建模方法。最后，较为详细地阐述了电路模拟方法，该方法可用于保护电路的开发以及在ESD条件下保护电路的行为分析。

书籍规格:

书籍信息归属:

硅集成电路中的ESD技术是国防科技大学出版社于2014.12出版的中图分类号为 TN4 的主题关于 硅集成电路－静电防护 的书籍。