书籍简介:

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的一员，其优良的物理和化学性质使其在白光照明、汽车电子化、雷达通讯、石油钻井、航空航天、核反应堆系统及军事装备等领域有着广泛的应用，因此，生长具有半绝缘性质的SiC单晶显得尤为重要。本专著详细论述了通过深能级杂质补偿生长半绝缘6H—SiC单晶的方法并对单晶性质进行了表征。

书籍规格:

书籍详细信息
书名	碳化硅单晶的生长站内查询相似图书
	9787569300949 如需购买下载《碳化硅单晶的生长》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	西安	出版单位	西安交通大学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	35.0	语种	简体中文
尺寸	23 × 17	装帧	平装
页数		印数

全网搜索试读资源

书籍信息归属:

碳化硅单晶的生长是西安交通大学出版社于2017.9出版的中图分类号为 TN304.053 的主题关于半导体材料－单晶拉制的书籍。