数字集成电路分析与设计:深亚微米技术
数字集成电路分析与设计:深亚微米技术封面图

数字集成电路分析与设计:深亚微米技术

( ) 豪杰斯 (Hodges,D.A.) 等, 著

出版社:清华大学出版社

年代:2004

定价:

书籍简介:

本书适用于高等院校电子信息、自动控制、电气工程、精密仪器等专业本科高年级学生和研究生有关集成电路课程的教材。全书共分11章,其中第1~8章为最基本的内容,第9~11章可根据不同的教学计划和教学要求选择不同的内容,书中各章中内容较深的部分可供讲授研究生课程时选用。由于本书内容先进详实,因此对于从事集成电路设计的工程技术人员来说也是一本不可多得的优秀参考书。

作者介绍:

David A.Hodges in the Daniel M. Tellep Distinguished Professor of Engineering Emeritus at the University of California,Berkeley.He Earnes the B.E.E. degree at Cornell University and the M.S. and Ph.D.degrees at the University of Califorina, Berkdley

书籍目录:

1 Deep Subnicron Digital IC Dexign 1.1 Intoduction 1.2 Brief History Logic Design 1.3 Review of Digital Logic Gate Design 1.4 Digital Integrated Circuit Design 1.5 Computer-Aided Design of Digital Circuits 1.6 Tht Callenges Ahead 1.7 Summary2 Mos Transistors 2.1 Introduction 2.2 Structure and Operation of the MOS Transistor 2.3 Threshold Voltage of the MOS Transistor 2.4 First-Order Current-Voltage Characteristics 2.5 Derivation of Velocity-Saturated Current Equations 2.6 Alpha-Power Law Model

1 Deep Subnicron Digital IC Dexign 1.1 Intoduction 1.2 Brief History Logic Design 1.3 Review of Digital Logic Gate Design 1.4 Digital Integrated Circuit Design 1.5 Computer-Aided Design of Digital Circuits 1.6 Tht Callenges Ahead 1.7 Summary2 Mos Transistors 2.1 Introduction 2.2 Structure and Operation of the MOS Transistor 2.3 Threshold Voltage of the MOS Transistor 2.4 First-Order Current-Voltage Characteristics 2.5 Derivation of Velocity-Saturated Current Equations 2.6 Alpha-Power Law Model 2.7 Subthreshold Comduction 2.8 Capacitances of the MOS Transistor 2.9 Summary3 Fabrication,Layout,and Simulation 3.1 Introduction 3.2 IC Fabriction Technology 3.3 Layout Baics 3.4 Modeling the MOS Transistor for Circuit Simulation 3.5 SPICE MOS LEVEL 1 Device Model 3.6 BSIM3 Model 3.7 Additional Effects in MOS Transistors 3.8 Silicon-on=Insulation Technology 3.9 SPICE Model Summary4 MOS Inverter Circuits5 Static MOS Gate Circuits6 High-Speed CMOS Logic Design7 Transfer Gate and Dynamic Logic Design8 Semiconductor Menory Design9 Additional Topics in Memory Design10 Interconnect Design11 Power Grid and Clock DesignIndex

内容摘要:

本书的第3版,把当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位的CMOS电路技术作为主要内容。全书以当前工业界领先的0.18T微米和0.13微米的工艺技术为基础,注入了许多深亚微米领域电路设计方面的资料,如最先进的电路制造工艺、BSIM3短沟器件模型、深亚微米的互连技术和时钟技术、基于逻辑力度(Logic Effort)的高速CMOS电路设计技术、电源网络设计等。此外,第3版还新增了一些较新和较深的内容,如快闪存储器(Flash Memory)、铁电存储器(FRAM)、锁相环(PLL)等,因此第3版明显地具有集成电路深亚微米时代的特点。 本书可用作高等院校电子信息、自动控制、电气工程、精密仪器等专业本科高年级演密仪器等专业本科高年级和研究生有关集成电路课程的教材。全书共分11章,其中第1-8章为最基本的内容,第9-11章可根据不同的教学计划和教学要求选择不同的内容。本书各章中内容较深的部分可供讲授研究生课程时选用。由于本书内容选进详实,因此对于从事集成电路设计的工程技术人员来说也是一本不可多得的优秀参考书。

书籍规格:

书籍详细信息
书名数字集成电路分析与设计:深亚微米技术站内查询相似图书
丛书名国外大学优秀教材微电子类系列
9787302090618
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出版地北京出版单位清华大学出版社
版次影印本印次1
定价(元)语种英文
尺寸装帧平装
页数印数

书籍信息归属:

数字集成电路分析与设计:深亚微米技术是清华大学出版社于2004.出版的中图分类号为 TN431.2 的主题关于 数字集成电路-电路设计-高等学校-教材-英文 ,数字集成电路-电路分析-高等学校-教材-英文 的书籍。