数字集成电路分析与设计

第1章 引言

1.1 历史展望与摩尔定律

1.2 数字集成电路的电学性能

1.2.1 逻辑功能

1.2.2 静态电压传输特性

1.2.3 瞬态特性

1.2.4 扇入和扇出

1.2.5 功耗

1.2.6 功率延迟积

1.3 计算机辅助设计与验证

1.4 制造

1.5 半导体和结

1.6 MOS晶体管

1.7 MOS门电路

1.8 互连

1.9 动态CMOS

1.10 低功耗CMOS

1.11 双稳态电路

1.12 存储器

1.13 输入／输出和接口电路

1.14 实际的观点

1.15 小结

练习题

参考文献

第2章 制造

2.1 引言

2.2 基本的CMOS制造工序

2.3 先进的高性能CMOS工艺

2.3.1 铜布线

2.3.2 金属栅

2.3.3 高K栅介质

2.4 光刻和掩膜版

2.5 版图和设计规则

2.5.1 最小线宽和间隔

2.5.2 接触孔和过孔

2.6 测试及成品率

2.7 封装

2.8 老化和加速试验

2.9 实际的观点

2.10 总结

练习题

参考文献

第3章 半导体和pn结

3.1 引言

3.2 硅的晶体结构

3.3 能带

3.4 载流子浓度

3.4.1 本征硅

3.4.2 n型硅

3.4.3 p型硅

3.5 电流传输

3.6 载流子连续性方程

3.7 泊松方程

3.8 pn结

3.8.1 零偏置（热平衡）

3.8.2 耗尽电容

3.8.3 正向偏置电流

3.8.4 反向偏置

3.8.5 反向击穿

3.9 金属——半导体结

3.10 SPICE模型

3.11 实际的观点

3.12 小结

练习题

参考文献

第4章 MOS晶体管

4.1 引言

4.2 MOS电容

4.3 阈值电压

4.4 MOSFET的电流一电压特性

4.4.1 线性区工作

……

第5章 MOS门电路

第6章 静态CMOS

第7章 互连线

第8章 动态CMOS

第9章 低功耗CMOS电路

第10章 双稳态电路

第11章 数字存储器

第12章 输入／输出和接口电路

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