硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究

书籍简介:

Sr/Si界面在晶形高介电常数(k)氧化物-半导体体系的外延生长中具有重要的作用, 是形成外延高k氧化物必不可少的缓冲界面层。本书深入研究了不同Sr/Si再构表面的几何及电子结构，并探讨相关的物理机制。

书籍规格:

书籍信息归属:

硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究是江苏大学出版社于2018.12出版的中图分类号为 O48 的主题关于 固体物理学－研究 的书籍。