书籍简介:

Sr/Si界面在晶形高介电常数(k)氧化物-半导体体系的外延生长中具有重要的作用, 是形成外延高k氧化物必不可少的缓冲界面层。本书深入研究了不同Sr/Si再构表面的几何及电子结构，并探讨相关的物理机制。

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	9787568410304 如需购买下载《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	镇江	出版单位	江苏大学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	39.0	语种	简体中文
尺寸	21 × 15	装帧	平装
页数		印数

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硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究是江苏大学出版社于2018.12出版的中图分类号为 O48 的主题关于固体物理学－研究的书籍。