书籍简介:

本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织，随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分（第二章到第八章）介绍了氮化物基本材料性质、异质外延方法和机理、HEMT异质结材料电学性质的分析、AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结生长和结构优化、材料缺陷分析等内容，在氮化物电子器件部分（第九到第十三章）介绍了GaNHEMT器件原理及优化、器件工艺和性能、器件的电热退化研究以及增强型GaNHEMT和GaN金属－氧化物－半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)器件研究等内容。

书籍目录:

《半导体科学与技术丛书》出版说明

序言

第1章绪论

第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质

第3章氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质

第4章 GaNHEMT材料的电学性质与机理

第5章 AIGaN/GaN异质结材料的生长与优化方法

第6章 AIGaN/GaN多异质结材料与电子器件

第7章脉冲MOCVD方法生长InAIN/GaN异质结材料

第8章 Ⅲ族氮化物电子材料的缺陷和物性分析

第9章 GaNHEMT器件的原理和优化

第10章 GaNHEMT器件的制备工艺和性能

第11章 GaNHEMT器件的电热退化与可靠性

第12章 GaN增强型HEMT器件和集成电路

第13章 GaNMOS—HEMT器件

第14章氮化物半导体材料和电子器件的发展

附录缩略语表

《半导体科学与技术丛书》已出版书目

内容摘要:

《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al CaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型 HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
　　《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。

书籍规格:

书籍详细信息
书名	氮化物宽禁带半导体材料与电子器件站内查询相似图书
丛书名	半导体科学与技术丛书
	9787030367174 如需购买下载《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	北京	出版单位	科学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	70.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	精装
页数	400	印数

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书籍信息归属:

氮化物宽禁带半导体材料与电子器件是科学出版社于2013.2出版的中图分类号为 TN304 ,TN103 的主题关于氮化物－禁带－半导体材料 ,氮化物－禁带－电子器件的书籍。