半导体光电阴极

前言第1章 半导体光电阴极基础 1.1 GaAs晶体结构 1.2 半导体能带 1.3 功函数与电子亲和势 1.4 半导体光吸收 1.5 GaAs光电阴极中的载流子输运过程 1.6 电子一声子散射 1.7 半导体异质结 1.8 超晶格与量子阱基础 参考文献第2章 GaAs半导体表面重构与表面态 2.1 GaAs表面重构 2.2 GaAs半导体表面态 参考文献第3章 GaAs半导体光电阴极 3.1 GaAs光电阴极基片的结构与制备 3.2 GaAs光电阴极表面激活层 3.3 GaAs光电阴极表面NEA模型 3.4 GaAs半导体光电阴极原理 3.5 GaAs半导体光电阴极性能 参考文献第4章 Si-NEA光电阴极 4.1 Si（100）（2×1）-NEA光电阴极 4.2 无定形Si-NEA光电阴极 参考文献第5章 1.06um近红外光电阴极 5.1 发展1.06um波长光电阴极的意义 5.2 GaAs-NEA光电阴极光谱近红外扩展的基本原理 5.3 1.06um光电阴极的早期发展 5.4 透射式InGaAsl.06_um近红外光电阴极 5.5 GaAs-NEA光电阴极光谱红外扩展的限制 参考文献第6章 转移电子光电阴极 6.1 TE光电阴极的发展 6.2 TE光电阴极的早期工作 6.3 TE光电阴极的技术改进 6.4 TE光电阴极的典型性能 6.5 其他TE光电阴极方案 6.6 TE光电阴极的应用 参考文献第7章 3族N化物紫外光电阴极 7.1 未来的高效率紫外光电阴极 7.2 3族N化物的一般物理特点 7.3 3族N化物的NEA特性 7.4 3族N化物紫外光电阴极的设计与实施方案 7.5 微通道板-GaN光电阴极 7.6 无Cs激活GaN紫外光电阴极 参考文献第8章 金刚石紫外光电阴极 8.1 金刚石的一般特点与参量 8.2 金刚石单晶的NEA表面 8.3 多晶金刚石薄膜的NEA模型 8.4 化学气相沉积多晶金刚石NEA光电阴极 8.5 以微通道板为衬底的金刚石紫外光电阴极 8.6 透射式金刚石NEA光电阴极 8.7 金刚石透射式场助光电阴极 参考文献第9章 Si锥场发射光电阴极 9.1 Si锥场发射光电阴极原理 9.2 Si锥场发射光电阴极典型制作工艺 9.3 Si锥场发射光电阴极性能 9.4 Si锥场发射光电阴极应用实例 参考文献第10章 碳纳米管光电阴极 10.1 碳纳米管结构及其电学光学特性 10.2 组合式碳纳米管光电阴极 10.3 直接转换式碳纳米管光电阴极 参考文献第11章 超晶格与量子阱光电阴极 11.1 早期的量子阱和超晶格光电阴极研究 11.2 高亮度超晶格光电阴极 11.3 红外量于阱光电阴极方案 11.4 可用于条纹管的量子阱光电阴极展望 11.5 超晶格作为光电阴极的光吸收层 参考文献第12章 半导体电子自旋极化光电阴极 12.1 发展电子自旋极化光电阴极的意义 12.2 大块GaAs电子自旋极化光电阴极 12.3 应变层GaAs自旋极化光电阴极 12.4 超晶格自旋极化光电阴极 12.5 应变超晶格自旋极化光电阴极 12.6 应变补偿超晶格自旋极化光电阴极 12.7 带有分布式布拉格反射器的超晶格自旋极化光电阴极， 12.8 自旋极化的弛豫 12.9 表面电荷限制效应 参考文献第13章 作为高亮度电子源的半导体光电阴极应用 13.1 作为电子加速器的高亮度电子源 13.2 电子束光刻用的电子源 13.3 高亮度GaAs-NEA光电阴极的电子显微镜应用参考文献

20世纪60年代中期GaAs负电子亲和势半导体光电阴极的出现，有力地推动了以单晶半导体为基础的光电阴极的发展。除了负电子亲和势半导体光电阴极外，各种场助半导体光电阴极也有很大发展。与半导体工业的融合，使得光电阴极技术的发展在一定程度上摆脱了以经验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为基础的科学设计新阶段。今天，半导体光电阴极不仅是用于光电探测和计量用的光电倍增管和夜视仪所用像增强器的关键光电转换部件，而且作为电子加速器、自由电子激光器、同步辐射光源、电子束光刻、电子显微镜、太赫兹辐射器以及X射线源等方面的高亮度电子源，也表现出明显的潜力和实用价值。半导体光电阴极的应用领域包括军事、安全、医学、天文、航空航天、生物化学以及光纤通信等诸多方面。贾欣志编著的《半导体光电阴极》全面介绍半导体光电阴极的发展，各种半导体光电阴极的工作原理、制备技术、性能特点以及应用方面等。《半导体光电阴极》适合从事电子物理、电真空物理、光电成像和夜视技术领域及其他涉及光电阴极领域的科技人员、高等学校教师、研究生和高年级本科生阅读参考。