出版社:中央民族大学出版社
年代:2013
定价:36.0
本书主要介绍了分子器件非弹性电子隧穿谱的研究现状,以及计算其隧穿谱的一种理论方法。主要是在量子化学计算的基础上,充分考虑了非弹射散射过程,发展了一整套基于第一性原理的计算分子器件非弹性电子隧穿谱的计算方法,并与他人的理论和实验结果进行了比较。本书适合物理、化学等不同专业背景从事分子器件非弹性电子隧穿谱实验和理论研究的专业工程技术人员和研究人员,也可作为相关专业研究生的教学科研参考书。
第一章 分子器件非弹性电子隧穿谱简介
1 非弹性电子隧穿谱介绍
1.1.1 非弹性电子隧穿谱的测量原理
1.1.2 非弹性电子隧穿谱的特点
2 分子器件非弹性电子隧穿谱的产生与发展
3 目前存在的问题和本书的主要工作
1.3.1 目前存在的问题
1.3.2 解决方案和本书的工作
第二章 密度泛函理论
1 Hohenberg-Kohn定理
2 Kohn-Sham方程
3 交换关联泛函
2.3.1 局域密度近似泛函LDA
2.3.2 广义梯度近似泛函GGA
2.3.3 杂化密度泛函
2.4 计算中基函数的选择
第三章 分子运动方式及分子振动模式
3.1 分子运动的分类
3.2 简谐近似
3.3 简正振动模式的数目
……
第四章 分子器件弹性和非弹性电子输运理论方法
第五章 4,4’-联苯二硫酚分子器件电输运性质理论计算
第六章 4,4’-联苯二硫酚分子器件的非弹性电子隧穿谱
第七章 十六烷硫醇分子器件的非弹性电子隧穿谱
第八章 总结与展望
附录一 计算苯分子振动模式的Gaussian输入文件
附录二 分子转动Fortran程序
《中央民族大学青年学者文库:分子器件非弹性电子隧穿谱的理论研究》的主要工作是从理论上计算分子器件非弹性电子隧穿谱。主要在量子化学计算的基础上,充分考虑了非弹射散射过程,发展了一整套基于第一性原理的计算分子器件非弹性电子隧穿谱的理论方法。对由金属一分子一金属构成的扩展分子体系进行计算,分析了外加电场对分子器件几何结构和电子结构的影响,考虑了有外加电场情况下分子器件的电输运特性以及分子体系内电子重新分布和空间电势变化情况。讨论电极距离、分子与金属间不同的接触构型以及分子的氟化程度等诸多因素对分子器件非弹性电子隧穿谱的影响,并与他人的理论和实验结果进行了比较。本书由邹斌著。
书籍详细信息 | |||
书名 | 分子器件非弹性电子隧穿谱的理论研究站内查询相似图书 | ||
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出版地 | 北京 | 出版单位 | 中央民族大学出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 36.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 20 × 15 | 装帧 | 平装 |
页数 | 印数 |
分子器件非弹性电子隧穿谱的理论研究是中央民族大学出版社于2013.5出版的中图分类号为 TN103 的主题关于 超分子结构-电子器件-理论研究 的书籍。