出版社:电子工业出版社
年代:2014
定价:45.0
本书简明而深刻地地介绍了半导体的基本物理性质,基本理论和主要研究方法。内容包括:晶体结构简介,半导体中的电子状态,载流子的统计分布,电荷输运现象,非平衡载流子,半导体表面,半导体的光学性质等。电子科学与技术等专业教材。电子科学与技术等专业教材。电子科学与技术等专业教材。
第1章晶体结构与晶体结合(1)
1.1晶体结构(2)
1.1.1晶格和晶胞(2)
1.1.2原胞原基矢量晶格平移矢量(4)
1.2晶列与晶面(6)
1.2.1晶向指数(6)
1.2.2晶面指数(7)
1.3倒格子(9)
1.4晶体结合(10)
1.4.1固体的结合形式和化学键(10)
1.4.2离子结合(离子键)(11)
1.4.3共价结合(共价键)(11)
1.4.4金属结合(金属键)(11)
1.4.5范德瓦尔斯结合(范德瓦尔斯键)(12)
1.5典型半导体的晶体结构(12)
1.5.1金刚石型结构(12)
1.5.2闪锌矿型结构(14)
1.5.3纤锌矿型结构(14)
思考题与习题(14)
第2章半导体中的电子状态(16)
2.1周期性势场(16)
2.2布洛赫(Bloch)定理(17)
2.2.1单电子近似(17)
2.2.2布洛赫定理(18)
2.2.3布里渊区(19)
2.3周期性边界条件(玻恩冯—卡曼Born.von—Karman边界条件)(21)
2.4能带(24)
2.4.1周期性势场中电子的能量谱值(24)
2.4.2能带图及其画法(26)
2.5外力作用下电子的加速度有效质量(28)
2.5.1外力作用下电子运动状态的改变(29)
2.5.2有效质量(31)
2.6等能面、主轴坐标系(35)
2.7金属、半导体和绝缘体的区别(36)
2.8导带电子和价带空穴(38)
2.9硅、锗、砷化镓的能带结构(40)
2.9.1导带能带图(40)
2.9.2价带能带图(41)
2.10半导体中的杂质和杂质能级(43)
2.10.1替位式杂质和间隙式杂质(43)
2.10.2施主杂质和施主能级N型半导体(44)
2.10.3受主杂质和受主能级P型半导体(44)
2.10.4III—V族化合物中的杂质能级(45)
2.10.5等电子杂质等电子陷阱(46)
2.11类氢模型(47)
2.12深能级(48)
2.13缺陷能级(50)
2.14宽禁带半导体的自补偿效应(50)
思考题与习题(51)
第3章载流子的统计分布(53)
3.1能态密度(53)
3.1.1导带能态密度(53)
3.1.2价带能态密度(54)
3.2分布函数(55)
3.2.1费米—狄拉克(Fermi—Dirac)分布与费米能级(55)
3.2.2玻耳兹曼分布(56)
3.3能带中的载流子浓度(58)
3.3.1导带电子浓度(58)
3.3.2价带空穴浓度(59)
3.4本征半导体(61)
3.5杂质半导体中的载流子浓度(64)
3.5.1杂质能级上的载流子浓度(64)
3.5.2N型半导体(65)
3.5.3P型半导体(66)
3.6杂质补偿半导体(68)
3.7简并半导体(70)
3.7.1简并半导体杂质能级和能带的变化(70)
3.7.2简并半导体的载流子浓度(71)
思考题与习题(72)
第4章电荷输运现象(74)
4.1格波与声子(74)
4.1.1格波(74)
4.1.2声子(76)
4.2载流子的散射(77)
4.2.1平均自由时间与弛豫时间(78)
4.2.2散射机构(79)
4.3漂移运动迁移率电导率(81)
4.3.1平均漂移速度与迁移率(81)
4.3.2漂移电流电导率(84)
4.4多能谷情况下的电导现象(86)
4.5电流密度和电流(89)
4.5.1扩散流密度与扩散电流(89)
4.5.2漂移流密度与漂移电流(89)
4.5.3电流密度与电流(90)
4.6非均匀半导体中的内建电场(90)
4.6.1半导体中的静电场和势(90)
4.6.2爱因斯坦关系(91)
4.6.3非均匀半导体中的内建电场(92)
4.7霍尔(Hall)效应(94)
4.7.1霍尔系数(95)
4.7.2霍尔角(96)
思考题与习题(98)
第5章非平衡载流子(100)
5.1非平衡载流子的产生与复合(100)
5.1.1非平衡载流子的产生(100)
5.1.2非平衡载流子的复合(101)
5.1.3非平衡载流子的寿命(102)
5.2直接复合(104)
5.3通过复合中心的复合(106)
5.3.1载流子通过复合中心的产生和复合过程(106)
5.3.2净复合率(107)
5.3.3小信号寿命公式—肖克利—瑞德公式(108)
5.3.4金在硅中的复合作用(109)
5.4表面复合和表面复合速度(111)
5.5陷阱效应(112)
5.6准费米能级(113)
5.6.1 准费米能级(113)
5.6.2 修正欧姆定律(114)
5.7连续性方程(115)
5.8电中性条件介电弛豫时间(118)
5.9扩散长度与扩散速度(119)
5.10半导体中的基本控制方程(122)
思考题与习题(122)
第6章半导体表面(124)
6.1表面态和表面空间电荷区(124)
6.2表面电场效应(125)
6.2.1表面空间电荷区的形成(125)
6.2.2表面势与能带弯曲(126)
6.3载流子积累、耗尽和反型(127)
6.3.1载流子积累(128)
6.3.2载流子耗尽(128)
6.3.3载流子反型(129)
6.4理想MOS电容(133)
6.5实际MOS电容的C—V特性(139)
6.5.1功函数差的影响(139)
6.5.2界面陷阱和氧化物电荷的影响(141)
6.5.3实际MOS的C—V曲线和阈值电压(143)
思考题与习题(144)
第7章PN结(146)
7.1热平衡PN结(148)
7.1.1PN结空间电荷区(148)
7.1.2电场分布与电势分布(149)
7.2偏压PN结(153)
7.2.1 PN结的单向导电性(153)
7.2.2少数载流子的注入与输运(154)
7.3理想PN结二极管的直流电流—电压(I—V)特性(157)
7.4空间电荷区复合电流和产生电流(162)
7.4.1正偏复合电流(162)
7.4.2反偏产生电流(163)
7.5 隧道电流(164)
7.6PN结电容(165)
7.6.1耗尽层电容(166)
7.6.2扩散电容(167)
7.7PN结击穿(170)
7.8异质结(172)
7.8.1热平衡异质结(172)
7.8.2加偏压的异质结(174)
思考题与习题(175)
第8章金属—半导体接触(178)
8.1理想的金属—半导体整流接触肖特基势垒(178)
8.2界面态对势垒高度的影响(182)
8.3欧姆接触(183)
8.4镜像力对势垒高度的影响—肖特基效应(184)
8.5理想肖特基势垒二极管的电流—电压特性(186)
思考题与习题(189)
第9章半导体的光学性质(191)
9.1半导体的光学常数(191)
9.2本征吸收(192)
9.2.1直接跃迁(193)
9.2.2间接跃迁(195)
9.3激子吸收(197)
9.4其他光吸收过程(198)
9.4.1自由载流子吸收(198)
9.4.2杂质吸收(199)
9.5PN结的光生伏打效应(200)
9.6半导体发光(202)
9.6.1直接辐射复合(202)
9.6.2间接辐射复合(203)
9.6.3浅能级和主带之间的复合(204)
9.6.4施主—受主对(D—A对)复合(204)
9.6.5通过深能级的复合(205)
9.6.6激子复合(205)
9.6.7等电子陷阱复合(205)
9.7非辐射复合(207)
9.7.1多声子跃迁(208)
9.7.2俄歇(Auger)过程(208)
9.7.3表面复合(209)
9.8发光二极管(LED)(209)
9.9高效率的半导体发光材料(211)
思考题与习题(211)
模拟试卷(一)(213)
模拟试卷(二)(214)
模拟试卷(三)(216)
附录A单位制、单位换算和通用常数(224)
附录B半导体材料物理性质表(225)
参考文献
《普通高等教育"十二五"规划教材·电子科学与技术专业规划教材半导体物理学简明教程》可作为高等学校微电子学、光电子学等电子科学与技术各专业的教材,也可供有关专业研究生和从事微电子、光电子等专业的研究人员和工程技术人员参考。本书以简明的形式介绍了半导体的基本物理现象、物理性质、物理规律和基本理论。内容包括:晶体结构与晶体结合、半导体中的电子状态、载流子的统计分布、电荷输运现象、非平衡载流子、半导体表面、PN结、金属-半导体接触、半导体的光学性质等。【作者简介】孟庆巨,吉林大学电子工程学院教授,博士生导师,现在电子科技大学中山学院任教,教学督导,主要研究领域为电子科学与技术。
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出版地 | 北京 | 出版单位 | 电子工业出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 45.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 18 × 26 | 装帧 | 平装 |
页数 | 240 | 印数 |
半导体物理学简明教程是电子工业出版社于2014.5出版的中图分类号为 O47 的主题关于 半导体物理学-高等学校-教材 的书籍。