式为2C+SiO2Si+2CO↑，制取过程中涉及该反应，故A不符题意。

B、制取过程中不涉及该化学反应，故B合题意。

C、硅与氯气在加热条件下反应生成四氯化硅，反应的化学方程式为Si+2Cl2SiCl4，制取过程中涉及该反应，故C不符题意。

D、氢气与四氯化硅在高温下反应生成硅和氯化氢，反应的化学方程式为SiCl+2H2Si+4HCl，制取过程中涉及该反应，故D不符题意。

故选：B。

【点睛】解题关键：了解半导体工业中制取硅的反应原理，C是易错项，用氯气将硅变成气态氯化物，从而与杂质分离。

6.下列四个选项中的两个反应可用同一个离子方程式表示的是

A. A B. B C. C D. D

【答案】B

【解析】

【分析】

A．二氧化硫和氢氧化钡反应，少量二氧化硫反应生成亚硫酸盐，二氧化硫过量生成亚硫酸氢盐；

B．氨水和铝盐反应生成氢氧化铝沉淀，氢氧化铝沉淀不溶于氨水；

C．氯气量不同氧化的离子不同，离子方程式不同；

D、氢氧化镁难溶，离子方程式不同；

【详解】A．将少量SO2通入Ba（OH）2溶液生成亚硫酸钡沉淀，将过量SO2通入少量Ba（OH）2溶液生成亚硫酸氢钡，无沉淀生成，故A错误；